目录
综述
大功率半导体技术现状及其进展刘国友;王彦刚;李想;Arthur SU;李孔竞;杨松霖;1-11
超结IGBT的结构特点及研究进展张金平;肖翔;张波;12-20
基于低温烧结银的封装互连方法研究进展梅云辉;鲁鑫焱;杜昆;张博雯;21-27
宽禁带功率器件键合缓冲技术的可靠性分析张海涛;姜南;28-32
刊首语
勇担使命 开拓进取 共建功率半导体产业生态圈丁荣军;2-3
特邀副主编寄语
抓住机遇,加速发展我国功率半导体产业张波;4
芯片设计与制造
1 200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究陈超;李旭;黄伟;邓小川;33-37
低米勒电容超结MOSFET开关过程及反向恢复性能仿真研究唐茂森;刘东;沈俊;葛兴来;周荣斌;叶峻涵;38-46
适用于HVDC的4.5 kV逆阻IGCT性能研究潘学军;陈芳林;孙永伟;曾宏;邹平;陈勇民;47-52
高压IGBT芯片开关过程栅分布效应仿真研究孙琬茹;王耀华;刘江;高明超;李立;李翠;聂瑞芬;金锐;53-57
1 700 V IGBT场限环场板终端优化设计周荣斌;杨平;唐茂森;叶峻涵;沈俊;刘东;朱利恒;58-63
基于沟道状态的SiC MOSFET器件浪涌能力研究孟鹤立;邓二平;王文杰;黄永章;64-70
8.5 kV特高压晶闸管低占比终端结构设计与研究张晨;刘东;唐茂森;吴泽宇;周宗耀;葛兴来;71-76
模块设计与封装
新一代牵引级IGBT模块技术研究与应用陈明翊;孙辉波;金肩舸;荣春晖;王忠宝;史玉升;77-86
一款高性能的双面冷却电动汽车级IGBT模块马雅青;余军;杜月康;李剑锋;87-92
全银烧结双面散热SiC模块的工艺设计柯攀;黄蕾;杜隆纯;刘洋;曾亮;刘亮;刘朝瑜;93-98
应用与测试技术
MOSFET和IGBT关断特性及其对并联特性的影响李贺龙;丁立健;刘国友;99-105
3D复合相变散热器在轨道交通中的热管理应用研究王雄;吴智勇;窦泽春;宋郭蒙;黄南;向彪;106-110
基于热传导模型的IGBT结温计算方法陈新;王益民;王鹏;111-114
高可靠牵引变流器IGBT主动结温控制技术研究刘文业;康力璇;刘海涛;荣智林;傅航杰;刘兴平;付翔宇;115-122
工艺与制造技术
IGBT模块银烧结工艺引线键合工艺研究张浩亮;方杰;徐凝华;123-127
银烧结技术在压接型IGBT器件中的应用石廷昌;李寒;常桂钦;罗海辉;董国忠;刘国友;128-133
丝网印刷法制备GPP芯片工艺徐长坡;李豆;134-137
高光泽度的硅酸腐片制备研究由佰玲;孙希凯;邓春星;周迎朝;董楠;原宇乐;谢艳;138-141
可靠性与失效分析
基于功率循环的功率器件寿命评估快速工程方法张虎;142-149
一种基于神经网络优化预测模型的SiC MOSFET阻断电压确定方法沈俊;刘东;唐茂森;葛兴来;叶峻涵;周荣斌;150-155
功率封装钝化层开裂原理分析陈志文;胡兴旺;刘勇;刘俐;刘胜;156-160
基于改进小波神经网络的IGBT时间序列预测算法研究黄柯勋;吴松荣;向碧楠;徐睿;涂振威;161-166
轨道交通车辆3D复合相变散热技术可靠性研究陈燕平;宋郭蒙;窦泽春;黄南;张晓;向彪;167-174
基于SVPWM调制方式的列车牵引逆变器功率器件寿命预测叶峻涵;杨平;周荣斌;沈星江;沈俊;唐茂森;175-182
汽车IGBT模块功率循环寿命研究周望君;陆金辉;罗海辉;汤翔;方超;柯灏韬;彭勇殿;183-188
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